Artikelnummer | TSM2N100CP ROG |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.85A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 77W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |