S1KW8C-1N - Semtech Corporation

Artikelnummer	S1KW8C-1N
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	8000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	8V @ 3A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	1mA @ 8000V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Module
Lieferantengerätepaket	-
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S1K	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K-E3	VISHAY	S1K-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks	Einzelheiten
S1K-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-F	SMC Diode Solutions	SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER	Einzelheiten
S1K-L	ORIGINAL	S1K-L ORIGINAL DO214A.. New Original Stocks	Einzelheiten