S1K M2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	S1K M2G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	1µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S1K	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K-E3	VISHAY	S1K-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks	Einzelheiten
S1K-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-F	SMC Diode Solutions	SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER	Einzelheiten
S1K-L	ORIGINAL	S1K-L ORIGINAL DO214A.. New Original Stocks	Einzelheiten