S1K-E3/5AT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	S1K-E3/5AT
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S1K-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Einzelheiten
S1K-E3	VISHAY	S1K-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks	Einzelheiten
S1K-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Einzelheiten
S1K-F	SMC Diode Solutions	SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER	Einzelheiten
S1K-L	ORIGINAL	S1K-L ORIGINAL DO214A.. New Original Stocks	Einzelheiten
S1K-LTP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA	Einzelheiten
S1K-M3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1A 800V DO-214AC	Einzelheiten
S1K-M3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1A 800V DO-214AC	Einzelheiten