UMB10NFHATN - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	UMB10NFHATN
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Leistung max	150mW
Frequenz - Übergang	250MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	UMT6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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