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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › UMB11NTN
UMB11NTN

UMB11NTN - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
UMB11NTN
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
UMB11NTN PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
UMB11NTN.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
314554 pcs
Referenzpreis
USD 0.0864/pcs
Unser Preis
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UMB11NTN detaillierte Beschreibung

Artikelnummer UMB11NTN
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket UMT6
Gewicht -
Ursprungsland -

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