UMB10NFHATN - Rohm Semiconductor

номер части	UMB10NFHATN
Статус детали	Active
Тип транзистора	2 PNP Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	-
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	-
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Мощность - макс.	150mW
Частота - переход	250MHz
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика	UMT6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
UMB1	ROHM	UMB1 ROHM SOT-36.. New Original Stocks	подробности
UMB10	ROHM	UMB10 ROHM SOT363 New Original Stocks	подробности
UMB10N	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	подробности
UMB10NFHATN	Rohm Semiconductor	PNPPNP DIGITAL TRANSISTOR CORR	подробности
UMB10NTN	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	подробности
UMB10N_1	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	подробности
UMB11	ROHM	UMB11 ROHM SOT-35.. New Original Stocks	подробности
UMB11N	ROHM	UMB11N ROHM SOT363 New Original Stocks	подробности
UMB11NTN	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	подробности
UMB1N	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	подробности