| Artikelnummer | IMD23T108 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 1k, 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k, 10k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | - |
| Frequenz - Übergang | 200MHz, 250MHz |
| Leistung max | 300mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SMT6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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