IMD10AT108 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IMD10AT108 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA, 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
10k, 100 |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
250MHz, 200MHz |
Leistung max |
300mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SC-74, SOT-457 |
Lieferantengerätepaket |
SMT6 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IMD10AT108