IMD16AT108 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IMD16AT108 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA, 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
100k, 2.2k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
22k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
- |
Frequenz - Übergang |
250MHz |
Leistung max |
300mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SC-74, SOT-457 |
Lieferantengerätepaket |
SMT6 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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