Artikelnummer | EMH9T2R |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket | EMT6 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |