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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › EMH11FHAT2R
EMH11FHAT2R

EMH11FHAT2R - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
EMH11FHAT2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
NPNNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EMH11FHAT2R PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3015575 pcs
Referenzpreis
USD 0.0546/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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EMH11FHAT2R detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EMH11FHAT2R
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
Gewicht -
Ursprungsland -

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