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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › EMH10T2R
EMH10T2R

EMH10T2R - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
EMH10T2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EMH10T2R PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EMH10T2R.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
273916 pcs
Referenzpreis
USD 0.0969/pcs
Unser Preis
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EMH10T2R detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EMH10T2R
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 22k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
Gewicht -
Ursprungsland -

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