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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTDG23YPT100
DTDG23YPT100

DTDG23YPT100 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTDG23YPT100
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTDG23YPT100 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTDG23YPT100.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2500 pcs
Referenzpreis
USD 0.2704/pcs
Unser Preis
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DTDG23YPT100 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTDG23YPT100
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 22k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 80MHz
Leistung max 1.5W
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket MPT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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