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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › DTDG23YPT100
DTDG23YPT100

DTDG23YPT100 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
DTDG23YPT100
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DTDG23YPT100 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
DTDG23YPT100.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2704/pcs
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DTDG23YPT100 Descrizione dettagliata

Numero di parte DTDG23YPT100
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 22k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 80MHz
Potenza - Max 1.5W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore MPT3
Peso -
Paese d'origine -

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