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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTDG14GPT100
DTDG14GPT100

DTDG14GPT100 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTDG14GPT100
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTDG14GPT100 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTDG14GPT100.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1972/pcs
Unser Preis
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DTDG14GPT100 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTDG14GPT100
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) -
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 80MHz
Leistung max 2W
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket MPT3
Gewicht -
Ursprungsland -

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