DTDG14GPT100 Подробное описание
номер части |
DTDG14GPT100 |
Статус детали |
Active |
Тип транзистора |
NPN - Pre-Biased |
Ток - коллектор (Ic) (макс.) |
1A |
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) |
60V |
Резистор - основание (R1) (Ом) |
- |
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) |
10k |
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce |
300 @ 500mA, 2V |
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic |
400mV @ 5mA, 500mA |
Ток - отсечка коллектора (макс.) |
500nA (ICBO) |
Частота - переход |
80MHz |
Мощность - макс. |
2W |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Упаковка / чехол |
TO-243AA |
Пакет устройств поставщика |
MPT3 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DTDG14GPT100