DTDG14GPT100

DTDG14GPT100 - Rohm Semiconductor

номер части
DTDG14GPT100
производитель
Rohm Semiconductor
Краткое описание
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DTDG14GPT100 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
DTDG14GPT100.pdf
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
7500 pcs
Справочная цена
USD 0.1972/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DTDG14GPT100

DTDG14GPT100 Подробное описание

номер части DTDG14GPT100
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 60V
Резистор - основание (R1) (Ом) -
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
Частота - переход 80MHz
Мощность - макс. 2W
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-243AA
Пакет устройств поставщика MPT3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DTDG14GPT100