RJK5033DPD-00#J2

RJK5033DPD-00#J2 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
RJK5033DPD-00#J2
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RJK5033DPD-00#J2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
29044 pcs
Referenzpreis
USD 0.8789/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern RJK5033DPD-00#J2

RJK5033DPD-00#J2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RJK5033DPD-00#J2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 65W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket MP-3A
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR RJK5033DPD-00#J2