| Artikelnummer | RJK5030DPP-M0#T2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 28.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FL |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 5A MP3A | Einzelheiten |
 |
RJK5030DPD-01#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH MP3A | Einzelheiten |
|
RJK5030DPD-02#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH MP3A | Einzelheiten |
|
RJK5030DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 5A TO220 | Einzelheiten |
|
RJK5031DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 3A MP3A | Einzelheiten |
|
RJK5031DPD-01#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH MP3A | Einzelheiten |
|
RJK5033DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 6A MP3A | Einzelheiten |
|
RJK5033DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 6A TO220 | Einzelheiten |
 |
RJK5034DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220 | Einzelheiten |
|
RJK5035DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 10A TO220 | Einzelheiten |
