| Numero di parte | RJK5033DPD-00#J2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 3A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MP-3A |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 5A MP3A | Dettagli |
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RJK5030DPD-01#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH MP3A | Dettagli |
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RJK5030DPD-02#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH MP3A | Dettagli |
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RJK5031DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 3A MP3A | Dettagli |
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RJK5031DPD-01#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH MP3A | Dettagli |
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RJK5033DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 6A MP3A | Dettagli |
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RJK5033DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 6A TO220 | Dettagli |
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RJK5034DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220 | Dettagli |
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RJK5035DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 10A TO220 | Dettagli |
