| Artikelnummer | NSBC114YPDP6T5G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 339mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-963 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-963 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Einzelheiten |
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NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Einzelheiten |
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NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Einzelheiten |
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NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN | Einzelheiten |
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NSBC113EPDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Einzelheiten |
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NSBC113EPDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Einzelheiten |
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NSBC114EDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963 | Einzelheiten |
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NSBC114EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Einzelheiten |
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NSBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Einzelheiten |
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NSBC114EDXV6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Einzelheiten |
