NSBC113EDXV6T1G

NSBC113EDXV6T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSBC113EDXV6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3953 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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NSBC113EDXV6T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSBC113EDXV6T1G
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 1k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 500mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-563
Gewicht -
Ursprungsland -

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