NSBC114EDP6T5G

NSBC114EDP6T5G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSBC114EDP6T5G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSBC114EDP6T5G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
320000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0748/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern NSBC114EDP6T5G

NSBC114EDP6T5G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSBC114EDP6T5G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 408mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-963
Lieferantengerätepaket SOT-963
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR NSBC114EDP6T5G