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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › NSBC114EDP6T5G
NSBC114EDP6T5G

NSBC114EDP6T5G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NSBC114EDP6T5G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
320000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0748/pcs
Notre prix
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NSBC114EDP6T5G Description détaillée

Numéro d'article NSBC114EDP6T5G
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 408mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-963
Package de périphérique fournisseur SOT-963
Poids -
Pays d'origine -

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