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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › NGTB50N120FL2WG
NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG - ON Semiconductor

Artikelnummer
NGTB50N120FL2WG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 100A 535W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NGTB50N120FL2WG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2927 pcs
Referenzpreis
USD 9.8/pcs
Unser Preis
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NGTB50N120FL2WG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NGTB50N120FL2WG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Leistung max 535W
Energie wechseln 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 311nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 118ns/282ns
Testbedingung 600V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 256ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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NGTB50N120FL2WG NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor IGBT 1200V 100A 535W TO247 Einzelheiten
NGTB50N60FL2WG NGTB50N60FL2WG ON Semiconductor IGBT 600V 50A TO247 Einzelheiten
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