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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › NGTB50N60S1WG
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG - ON Semiconductor

Artikelnummer
NGTB50N60S1WG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 50A 600V TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NGTB50N60S1WG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5908 pcs
Referenzpreis
USD 4.5864/pcs
Unser Preis
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NGTB50N60S1WG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NGTB50N60S1WG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Leistung max 417W
Energie wechseln 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 220nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 100ns/237ns
Testbedingung 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 94ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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