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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › NGTB50N120FL2WG
NGTB50N120FL2WG

NGTB50N120FL2WG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTB50N120FL2WG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 100A 535W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NGTB50N120FL2WG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2927 pcs
Prix ​​de référence
USD 9.8/pcs
Notre prix
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NGTB50N120FL2WG Description détaillée

Numéro d'article NGTB50N120FL2WG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Puissance - Max 535W
Échange d'énergie 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 311nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 118ns/282ns
Condition de test 600V, 50A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 256ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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