| Artikelnummer | FDP047N08-F102 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 164A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9415pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 268W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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