| Artikelnummer | FDP047AN08A0 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 138nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 310W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP020N06B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP023N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Einzelheiten |
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FDP027N08B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP027N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP030N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | Einzelheiten |
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FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
