| Número de pieza | FDP047N08-F102 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 164A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9415pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 268W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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FDP045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3 | Detalles |
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FDP047AN08A0_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3 | Detalles |
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FDP047AN08A0_G | FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD | FDP047AN08A0_G FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD TO 220 New Original Stocks | Detalles |
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FDP047AN08A0_NB82014 | FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD | FDP047AN08A0_NB82014 FAIRCHILDSEMICONDUCTORHKLTD TO 220 New Original Stocks | Detalles |
