FDP039N08B-F102 - ON Semiconductor

Artikelnummer	FDP039N08B-F102
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	133nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9450pF @ 40V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FDP030N06	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO220	Einzelheiten
FDP030N06B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP030N06B_F102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP032N08	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 120A TO-220	Einzelheiten
FDP032N08-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220	Einzelheiten
FDP032N08B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP032N08B_F102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP032N08_F102	Fairchild/ON Semiconductor	PT3 MV 75V 3.2MOHM FOR DELTA	Einzelheiten
FDP036N10A	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3	Einzelheiten
FDP038AN06A0	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB	Einzelheiten