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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › FDP039N08B-F102
FDP039N08B-F102

FDP039N08B-F102 - ON Semiconductor

Numero di parte
FDP039N08B-F102
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N CH 80V 120A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FDP039N08B-F102 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
62367 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.64/pcs
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FDP039N08B-F102 Descrizione dettagliata

Numero di parte FDP039N08B-F102
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9450pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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