FDB3632-F085

FDB3632-F085 - ON Semiconductor

Artikelnummer
FDB3632-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FDB3632-F085 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
71170 pcs
Referenzpreis
USD 2.31346/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FDB3632-F085

FDB3632-F085 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDB3632-F085
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FDB3632-F085