| Artikelnummer | FDB33N25TM |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2135pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 235W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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FDB33N25 | FAIRC | FDB33N25 FAIRC TO-263.. New Original Stocks | Einzelheiten |
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FDB33N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK | Einzelheiten |
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FDB3652_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | Einzelheiten |
