ECH8315-TL-H detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
ECH8315-TL-H |
Teilstatus |
Not For New Designs |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
7.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
875pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.5W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
25 mOhm @ 3.5A, 10V |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
8-ECH |
Paket / Fall |
8-SMD, Flat Lead |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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