ECH8315-TL-H - ON Semiconductor

Artikelnummer	ECH8315-TL-H
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	875pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-ECH
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
ECH81	EXSHINE	TRIODE-HEPTODE	Einzelheiten
ECH8102-TL-H	ON Semiconductor	TRANS PNP 30V 12A ECH8	Einzelheiten
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ECH8310-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 9A ECH8	Einzelheiten
ECH8315-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8	Einzelheiten
ECH8315-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8	Einzelheiten
ECH8320-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8	Einzelheiten