ECH8309-TL-H - ON Semiconductor

Artikelnummer	ECH8309-TL-H
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1780pF @ 6V
Vgs (Max)	±10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-ECH
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
ECH81	EXSHINE	TRIODE-HEPTODE	Einzelheiten
ECH8102-TL-H	ON Semiconductor	TRANS PNP 30V 12A ECH8	Einzelheiten
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