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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › PDTC143ES,126
PDTC143ES,126

PDTC143ES,126 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
PDTC143ES,126
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PDTC143ES,126 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
PDTC143ES,126.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3954 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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PDTC143ES,126 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PDTC143ES,126
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 4.7k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 500mW
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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