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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › PDTC114EE,115
PDTC114EE,115

PDTC114EE,115 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
PDTC114EE,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PDTC114EE,115 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
PDTC114EE,115.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3801 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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PDTC114EE,115 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PDTC114EE,115
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang 230MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket SC-75
Gewicht -
Ursprungsland -

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