PDTC114EQAZ detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PDTC114EQAZ |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
10k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
30 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
1µA |
Frequenz - Übergang |
230MHz |
Leistung max |
280mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
3-XDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket |
DFN1010D-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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