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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › PDTC114EQAZ
PDTC114EQAZ

PDTC114EQAZ - Nexperia USA Inc.

Numero di parte
PDTC114EQAZ
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
PDTC114EQAZ Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
PDTC114EQAZ.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
566442 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0447/pcs
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PDTC114EQAZ Descrizione dettagliata

Numero di parte PDTC114EQAZ
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA
Frequenza - Transizione 230MHz
Potenza - Max 280mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010D-3
Peso -
Paese d'origine -

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