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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › A2V09H525-04NR6
A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
A2V09H525-04NR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
A2V09H525-04NR6 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1202 pcs
Referenzpreis
USD 136.64047/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer A2V09H525-04NR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 720MHz ~ 960MHz
Gewinnen 18.9dB
Spannung - Test 48V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 688mA
Leistung 120W
Spannung - Bewertet 105V
Paket / Fall OM-1230-4L
Lieferantengerätepaket OM-1230-4L
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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