• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - HF › A2V09H400-04NR3
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
A2V09H400-04NR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
A2V09H400-04NR3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1580 pcs
Referenzpreis
USD 104.10576/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer A2V09H400-04NR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 720MHz ~ 960MHz
Gewinnen 17.9dB
Spannung - Test 48V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 688mA
Leistung 107W
Spannung - Bewertet 105V
Paket / Fall OM-780-4L
Lieferantengerätepaket OM-780-4L
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR A2V09H400-04NR3

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
A2V09H300-04NR3 A2V09H300-04NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Einzelheiten
A2V09H400-04NR3 A2V09H400-04NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Einzelheiten
A2V09H525-04NR6 A2V09H525-04NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR Einzelheiten