A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
A2V09H525-04NR6
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1202 pcs
Prix ​​de référence
USD 136.64047/pcs
Notre prix
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A2V09H525-04NR6 Description détaillée

Numéro d'article A2V09H525-04NR6
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 720MHz ~ 960MHz
Gain 18.9dB
Tension - Test 48V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 688mA
Puissance - Sortie 120W
Tension - Rated 105V
Paquet / cas OM-1230-4L
Package de périphérique fournisseur OM-1230-4L
Poids -
Pays d'origine -

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