PDTC115TT,215 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PDTC115TT,215 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
100k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
- |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 250µA, 5mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
1µA |
Frequenz - Übergang |
- |
Leistung max |
250mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket |
TO-236AB (SOT23) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR PDTC115TT,215