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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › PDTC115EU,115
PDTC115EU,115

PDTC115EU,115 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PDTC115EU,115
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PDTC115EU,115 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
PDTC115EU,115.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
861075 pcs
Referenzpreis
USD 0.0316/pcs
Unser Preis
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PDTC115EU,115 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PDTC115EU,115
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 20mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 100k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 100k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket SOT-323-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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