| Artikelnummer | PDTB143XQAZ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 150MHz |
| Leistung max | 325mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN1010D-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PDTB113EK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | Einzelheiten |
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PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 3DFN | Einzelheiten |
,TO-226_straightlead.jpg "PDTB113ES,126") |
PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Einzelheiten |
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PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | Einzelheiten |
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PDTB113EUF | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.425W | Einzelheiten |
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PDTB113EUX | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 0.425W | Einzelheiten |
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PDTB113ZK,115 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | Einzelheiten |
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PDTB113ZQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 3DFN | Einzelheiten |
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PDTB113ZS,126 | NXP USA Inc. | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Einzelheiten |
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PDTB113ZT | NXP | PDTB113ZT NXP SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
