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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › PDTB113ET,215
PDTB113ET,215

PDTB113ET,215 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PDTB113ET,215
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PDTB113ET,215 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
PDTB113ET,215.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
476672 pcs
Referenzpreis
USD 0.0568/pcs
Unser Preis
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PDTB113ET,215 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PDTB113ET,215
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 1k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 250mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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