PDTB113ZQAZ detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PDTB113ZQAZ |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
PNP - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
1k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
70 @ 50mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
100mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
150MHz |
Leistung max |
325mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
3-XDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket |
DFN1010D-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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