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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados › PDTB113ZQAZ
PDTB113ZQAZ

PDTB113ZQAZ - Nexperia USA Inc.

Número de pieza
PDTB113ZQAZ
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Breve descripción
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
PDTB113ZQAZ Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
PDTB113ZQAZ.pdf
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
480487 pcs
Precio de referencia
USD 0.0533/pcs
Nuestro precio
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PDTB113ZQAZ Descripción detallada

Número de pieza PDTB113ZQAZ
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 1k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 150MHz
Potencia - Max 325mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor DFN1010D-3
Peso -
País de origen -

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