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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › PDTB123EUF
PDTB123EUF

PDTB123EUF - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PDTB123EUF
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PDTB123EUF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
PDTB123EUF.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
505483 pcs
Referenzpreis
USD 0.0538/pcs
Unser Preis
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PDTB123EUF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PDTB123EUF
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 2.2k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 140MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket SOT-323-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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